Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IKD06N60RATMA1
Infineon Technologie..
-
FGD3N60LSDTM
onsemi
-
STGD3HF60HDT4
STMicroelectronics
-
IXBH42N170A
IXYS
-
IXLF19N250A
IXYS
-
IXYX120N120C3
IXYS
-
IXXK300N60B3
IXYS
-
IXYH25N250CHV
IXYS
-
APT100GN120B2G
Microchip Technology
-
APT75GP120B2G
Microchip Technology
-
IXXK100N60B3H1
IXYS
-
IXXK100N60C3H1
IXYS
-
IXGH32N170A
IXYS
-
IXGT32N170
IXYS
-
IXGK400N30A3
IXYS
-
IXYH85N120A4
IXYS
-
IXYT85N120A4HV
IXYS
-
IXYH30N170C
IXYS
-
IXXX160N65B4
IXYS
-
IKQ75N120CT2XKSA1
Infineon Technologie..