Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
GT15J341,S4X
Toshiba Semiconducto..
-
NGTD13T65F2SWK
onsemi
-
IXYK110N120B4
IXYS
-
IXYK110N120C4
IXYS
-
AFGY160T65SPD-B4
onsemi
-
IXXX160N65C4
IXYS
-
FGA5065ADF
onsemi
-
APT50GN60BG
Microchip Technology
-
RJH65T04BDPM-A0#T..
Renesas Electronics ..
-
IRGP50B60PDPBF-IN..
Infineon Technologie..
-
FGA30T65SHD
onsemi
-
IRG7PH46UEP
Infineon Technologie..
-
IKWH50N65WR6XKSA1
Infineon Technologie..
-
IRGP6690DPBF
International Rectif..
-
IRG4PH50KDPBF-INF
Infineon Technologie..
-
IRG8P40N120KDEPB
International Rectif..
-
MGW30N60
Motorola
-
HGTP20N60C3R
Harris Corporation
-
IRGP50B60PD1PBF-I..
Infineon Technologie..
-
MGW20N120
Motorola