Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Current Regulation - Diodes, Transis..
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- Diodes - Rectifiers - Single
- Diodes - Zener - Single
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Transistors - Special Purpose
- Transistors - Programmable Unijuncti..
- Переработка>>
-
IXYH8N250CHV
IXYS
-
IXBF40N160
IXYS
-
IXG70IF1200NA
IXYS
-
IXXK200N60C3
IXYS
-
IXXK200N60B3
IXYS
-
IXYR100N65A3V1
IXYS
-
IXBT42N170-TRL
IXYS
-
IXXX100N60C3H1
IXYS
-
IXGT32N170A
IXYS
-
APT50GF120B2RG
Microchip Technology
-
APT150GN60B2G
Microchip Technology
-
IXG100IF1200HF
IXYS
-
IXXX100N60B3H1
IXYS
-
APT35GP120B2D2G
Microchip Technology
-
IXYH120N65B3
IXYS
-
IXYH120N65C3
IXYS
-
IXGX120N60A3
IXYS
-
IXYA30N120A3HV
IXYS
-
APT50GT120LRDQ2G
Microchip Technology
-
IXXR100N60B3H1
IXYS