Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IKY75N120CS6XKSA1
Infineon Technologie..
-
AFGY120T65SPD
onsemi
-
IXBH6N170
IXYS
-
APT25GP120BG
Microchip Technology
-
STGWA40H120F2
STMicroelectronics
-
IXGH10N170
IXYS
-
AFGHL75T65SQDC
onsemi
-
AIKW50N65RF5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IXXH150N60C3
IXYS
-
RGS00TS65EHRC11
Rohm Semiconductor
-
IKZA50N65RH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
HGTG40N60C3R
Harris Corporation
-
IXYH55N120C4
IXYS
-
FGH4L40T120LQD
onsemi
-
IKW40N120CS7XKSA1
Infineon Technologie..
-
IKW50N65RH5XKSA1
Infineon Technologie..
-
RGWX5TS65DGC11
Rohm Semiconductor
-
IKY40N120CS6XKSA1
Infineon Technologie..
-
RGS80TS65DHRC11
Rohm Semiconductor
-
FGH40T100SMD-F155
onsemi