Транзисторы - ИГБТ - Single
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
IHW20N120R5XKSA1
Infineon Technologie..
-
IXGA48N60A3-TRL
IXYS
-
ISL9V3040P3
onsemi
-
RGT30NS65DGC9
Rohm Semiconductor
-
ISL9V5036S3ST
onsemi
-
IXBH20N360HV
IXYS
-
IXYL60N450
IXYS
-
IXGK75N250
IXYS
-
IXBX50N360HV
IXYS
-
IXYX40N450HV
IXYS
-
IXBH2N250
IXYS
-
IXYX140N120A4
IXYS
-
IXBK75N170
IXYS
-
IXBX25N250
IXYS
-
IXYT25N250CHV
IXYS
-
IXYX30N170CV1
IXYS
-
IXXX300N60B3
IXYS
-
IXBH42N170
IXYS
-
IXGH32N170
IXYS
-
IXYK140N90C3
IXYS