Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologie..
-
FP35R12W2T4B11BOM..
Infineon Technologie..
-
FP25R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologie..
-
APTGLQ200H120G
Microchip Technology
-
FF600R12ME4PB11BO..
Infineon Technologie..
-
FF600R12ME4PBOSA1
Infineon Technologie..
-
DF419MR20W3M1HFB1..
Infineon Technologie..
-
APTGT200H120G
Microchip Technology
-
APTGL700SK120D3G
Microchip Technology
-
APTGL700DA120D3G
Microchip Technology
-
F3L300R12PT4PB26B..
Infineon Technologie..
-
APTGT150H120G
Microchip Technology
-
FS150R17N3E4B11BO..
Infineon Technologie..
-
IXGN100N170
IXYS
-
MUBW30-12A6K
IXYS
-
A1C15S12M3
STMicroelectronics
-
IXA60IF1200NA
IXYS
-
IXGN400N60A3
IXYS
-
FS25R12W1T4B11BOM..
Infineon Technologie..
-
APT80GP60J
Microchip Technology