Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
NXH40T120L3Q1PG
onsemi
-
APTGT400A60D3G
Microchip Technology
-
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologie..
-
FZ600R12KS4HOSA1
Infineon Technologie..
-
FZ400R17KE3HOSA1
Infineon Technologie..
-
FF450R07ME4BOSA1
Infineon Technologie..
-
FP15R12W1T4B3BOMA..
Infineon Technologie..
-
FS75R12KE3GBOSA1
Infineon Technologie..
-
FP50R12KE3BOSA1
Infineon Technologie..
-
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologie..
-
FF150R17KE4HOSA1
Infineon Technologie..
-
APTGT100H60T3G
Microchip Technology
-
FS100R12W2T7B11BO..
Infineon Technologie..
-
A2P75S12M3
STMicroelectronics
-
MWI15-12A7
IXYS
-
MIXA40WB1200TED
IXYS
-
A2C50S65M2
STMicroelectronics
-
APTGT50TL601G
Microchip Technology
-
FS50R12W2T7B11BOM..
Infineon Technologie..
-
A1P35S12M3
STMicroelectronics