Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
FP35R12N2T7B11BPS..
Infineon Technologie..
-
MIXA81H1200EH
IXYS
-
BSM10GP120BOSA1
Infineon Technologie..
-
FP25R12KT4B16BPSA..
Infineon Technologie..
-
MIXA61WB1200TEH
IXYS
-
APTCV60HM45RT3G
Microchip Technology
-
FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologie..
-
APTGT50DU120TG
Microchip Technology
-
VS-ETF075Y60U
Vishay General Semic..
-
FP50R07N2E4B11BPS..
Infineon Technologie..
-
FS50R12KT4B11BPSA..
Infineon Technologie..
-
FS75R07N2E4BPSA1
Infineon Technologie..
-
APTGT25X120T3G
Microchip Technology
-
FS35R12KE3GBPSA1
Infineon Technologie..
-
APTGTQ50TA65T3G
Microchip Technology
-
MUBW35-12A7
IXYS
-
APTGTQ200SK65T3G
Microchip Technology
-
APTGTQ200DA65T3G
Microchip Technology
-
APTGTQ100DDA65T3G
Microchip Technology
-
APTGT50SK170TG
Microchip Technology