Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
BLM9D2324-08AMZ
Ampleon USA Inc.
-
BLM9D1920-08AMZ
Ampleon USA Inc.
-
BLM9D0910-05AMZ
Ampleon USA Inc.
-
BLM9D0708-05AMZ
Ampleon USA Inc.
-
BLM9D2327-26BZ
Ampleon USA Inc.
-
BLM9D1819-08AMZ
Ampleon USA Inc.
-
BLP9G0722-20Z
Ampleon USA Inc.
-
BLP9LA25SZ
Ampleon USA Inc.
-
PD84006-E
STMicroelectronics
-
C4H2350N05Z
Ampleon USA Inc.
-
AFT09MS031NR1
NXP USA Inc.
-
BLP7G22-10Z
Ampleon USA Inc.
-
MMRF1014NT1
NXP USA Inc.
-
BLP8G27-5Z
Ampleon USA Inc.
-
PD84006L-E
STMicroelectronics
-
TAV2-14LN+
Mini-Circuits
-
TAV1-541+
Mini-Circuits
-
TAV-541+
Mini-Circuits
-
AFM906NT1
NXP USA Inc.
-
SAV-551+
Mini-Circuits