Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
NE3514S02-T1D-A
Renesas Electronics ..
-
NE5550779A-T1-A
Renesas Electronics ..
-
NE3517S03-T1C-A
Renesas Electronics ..
-
NE3509M04-T2-A
Renesas Electronics ..
-
MPIC2112DW
onsemi
-
2N5486
NTE Electronics, Inc
-
BF909A215
NXP USA Inc.
-
BF909AR215
NXP USA Inc.
-
MCH6655-TL-E
onsemi
-
MCH6654-TL-E
onsemi
-
2N5950
Fairchild Semiconduc..
-
IGN1214L500B
Integra Technologies..
-
CGHV40320D-GP4
Wolfspeed, Inc.
-
BLA9G1011L-300GU
Ampleon USA Inc.
-
BLF189XRASU
Ampleon USA Inc.
-
BLA9H0912L-250U
Ampleon USA Inc.
-
BLF989ESU
Ampleon USA Inc.
-
SD2933W
STMicroelectronics
-
MRFE6VP5600HR5
NXP USA Inc.
-
BLF984PSU
Ampleon USA Inc.