Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
BLM9D2327S-50PBY
Ampleon USA Inc.
-
BLC9G22XS-120AGWT..
Ampleon USA Inc.
-
BLP10H630PY
Ampleon USA Inc.
-
BLP10H630PGY
Ampleon USA Inc.
-
BLP8G05S-200GY
Ampleon USA Inc.
-
MRF173
MACOM Technology Sol..
-
BLM8G0710S-60PBGY
Ampleon USA Inc.
-
BLP8G21S-160PVY
Ampleon USA Inc.
-
ARF463BG
Microchip Technology
-
BLP8G10S-45PY
Ampleon USA Inc.
-
BLP05H6110XRY
Ampleon USA Inc.
-
BLM8G0710S-45ABGY
Ampleon USA Inc.
-
PD55035STR-E
STMicroelectronics
-
MRF134
MACOM Technology Sol..
-
PD85035S-E
STMicroelectronics
-
PD57018STR-E
STMicroelectronics
-
PD85035TR-E
STMicroelectronics
-
BLM7G1822S-40ABGY
Ampleon USA Inc.
-
PD55015STR-E
STMicroelectronics
-
PD55015S-E
STMicroelectronics