Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
A5G35H055NT4
NXP USA Inc.
-
A5G23H065NT4
NXP USA Inc.
-
A3T09S100NR1
NXP USA Inc.
-
AFT09MP055NR1
NXP USA Inc.
-
A5G38H045NT4
NXP USA Inc.
-
AFT09MP055GNR1
NXP USA Inc.
-
MMRF1015GNR1
NXP USA Inc.
-
MHT1803B
NXP USA Inc.
-
MHT1803A
NXP USA Inc.
-
AFT05MP075GNR1
NXP USA Inc.
-
A2T08VD021NT1
NXP USA Inc.
-
PTVA120252MT-V1-R..
Wolfspeed, Inc.
-
3N203
Solid State Inc.
-
3N201
Solid State Inc.
-
3N202
Solid State Inc.
-
A5G35S008NT6
NXP USA Inc.
-
A5G37H110NT4
NXP USA Inc.
-
AFT27S012NT1
NXP USA Inc.
-
A5G35S004NT6
NXP USA Inc.
-
A5G26S004NT6
NXP USA Inc.