Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
BUK7K12-60EX
Nexperia USA Inc.
-
BSC155N06NDATMA1
Infineon Technologie..
-
SI7252ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
BUK9K18-40E,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK7K6R8-40E,115
Nexperia USA Inc.
-
SH8MC5TB1
Rohm Semiconductor
-
BUK7K15-80EX
Nexperia USA Inc.
-
SI4922BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
-
SH8J31GZETB
Rohm Semiconductor
-
IPG20N10S4L22ATMA..
Infineon Technologie..
-
ZXMN6A25DN8TA
Diodes Incorporated
-
BUK9K134-100EX
Nexperia USA Inc.
-
DMHT6016LFJ-13
Diodes Incorporated
-
BUK7K13-60EX
Nexperia USA Inc.
-
SH8MB5TB1
Rohm Semiconductor
-
SH8KC7TB1
Rohm Semiconductor
-
SH8M24TB1
Rohm Semiconductor
-
SI7212DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
STL40DN3LLH5
STMicroelectronics