Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTC124EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA115EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA115TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA123EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA123TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA124EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA124XM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA143EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA143XM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA144EM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA144TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA144VM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTA144WM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTC124TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTC143TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTC115TM,315
Nexperia USA Inc.
-
PDTC143EM,315
Nexperia USA Inc.