Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
DCX114EU-13R-F
Diodes Incorporated
-
PBLS1504V,115-PH
Philips
-
PUMF12,115
NXP USA Inc.
-
SMUN2232T1
onsemi
-
PBLS1503V,115
Philips
-
BCR119S
Infineon Technologie..
-
BCR48PNH6327
Infineon Technologie..
-
BCR116SE6327
Infineon Technologie..
-
SMUN5131DW1T1G
onsemi
-
SMUN5232DW1T1G
onsemi
-
NSVBC114YDXV6T1G
onsemi
-
NSVBC114EDXV6T1G
onsemi
-
NSVUMC2NT1G
onsemi
-
BCR523UE6327
Infineon Technologie..
-
NSVEMD4DXV6T5G
onsemi
-
NSBC114TDXV6T1G
onsemi
-
NSBC123JDXV6T1G
onsemi
-
SMUN5313DW1T3G
onsemi
-
NSVMUN5312DW1T3G
onsemi
-
NSVMUN5314DW1T3G
onsemi