Тиристоры - TRIAC
- Дискретные полупроводниковые продукт..
- Диоды - РФ
- Диоды - переменная емкость (Varicaps..
- Диоды - Зенеровые массивы
- Модули драйвера питания
- Тиристоры - DIAC, SIDAC
- Тиристоры - SCR - Модули
- Тиристоры - SCR
- Тиристоры - TRIAC
- Транзисторы - биполярные (BJT) - мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Мас..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
- Транзисторы - биполярные (BJT) - оди..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
- Транзисторы - IGBT - Массивы
- Транзисторы - ИГБТ - Модули
- Транзисторы - ИГБТ - Single
- Транзисторы - JFET
- Диоды - Исправители - Диодные массив..
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF FET, ..
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночны..
- Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
- Транзисторы - IGBTsIGBT модули
- Диоды - Мостные исправители
- Диоды - Исправители - Одиночные диод..
- Диоды - РФ-диоды
- Диоды - Зенер - Диоды одиночного Зен..
- Диоды - Зенер - Диодные массивы Зене..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - бип..
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Бип..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одн..
- Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOS..
- Транзисторы - ИГБТ - Модули ИГБТ
- Переработка>>
-
MAC3030-8G
onsemi
-
BTA212-800B,127
NXP USA Inc.
-
MAC16HCD
onsemi
-
BTA216X-600D,127
WeEn Semiconductors
-
BTA216-600F,127
NXP Semiconductors
-
BTA316X-600E,127
NXP USA Inc.
-
BTA316X-600C,127
NXP USA Inc.
-
BTA312X-800B,127
NXP USA Inc.
-
BTA410X-600CT,127
NXP USA Inc.
-
BTA312-600B/DG,12..
NXP USA Inc.
-
BTA410-600ET,127
NXP USA Inc.
-
BTA410-800CT,127
NXP USA Inc.
-
MAC228A8T
onsemi
-
BTA316X-600E/DG12..
WeEn Semiconductors
-
BTA310X-600D,127
NXP USA Inc.
-
BT138-800/DG,127
NXP USA Inc.
-
BTA310-600C,127
NXP USA Inc.
-
BT138-600/DG,127
NXP USA Inc.
-
BT138-600D,127
NXP USA Inc.
-
BT138-600G,127
NXP USA Inc.